sti etch back
2018年10月14日—9:为什么在STICMP前要进行ARPHO和ETCHBACK?A:ARPHO就是用AAPHO的反版在HDPCVD生长的OXIDE上形成图示形状,先用DRY方法去掉大块的OXIDE ...,2020年10月21日—答:STI:ShallowTrenchIsolation(淺溝道隔離),.STI可以當做兩個組件(device)間的阻隔,...
Plasma etch
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2000年7月1日—Anewplasmaetch-backplanarizationtechniqueispresentedwithcountermaskingtopreplanarizeshallowtrenchisolation(STI)substrates ...
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